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NTD18N06LT4

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 DPAK
數(shù)量:
 630  
說明:
 MOSFET 60V 18A N-Channel
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NTD18N06LT4-DPAK圖片

NTD18N06LT4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:19 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:79 ns
功率耗散:55 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :13.5 S
下降時間:38 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:DPAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.054 Ohms
漏極連續(xù)電流:18 A
閘/源擊穿電壓:+/- 15 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTD18N06LT4的詳細信息,包括NTD18N06LT4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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