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NTD12N10G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: DPAK
數量：: 396
說明：: MOSFET 100V 12A N-Channel

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NTD12N10G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：22 ns
工廠包裝數量：75
上升時間：30 ns
功率耗散：1.76 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：7 S
下降時間：32 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：DPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.165 Ohms
漏極連續電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD12N10G的詳細信息，包括NTD12N10G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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