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NSVBC114YPDXV65G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-563
數量：: 4086
說明：: TRANSISTOR BRT DUAL NPN SOT-563

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NSVBC114YPDXV65G PDF參數資料

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中文參數如下：
晶體管類型1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大）100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）10K
電阻器 - 發射極 (R2)（歐）47K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)80 @ 5mA, 10V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）250mV @ 300µA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大）500nA
頻率 - 轉換-
功率 - 最大500mW
安裝類型表面貼裝

以上是NSVBC114YPDXV65G的詳細信息，包括NSVBC114YPDXV65G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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