色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > NST847BPDP6T5G

NST847BPDP6T5G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-963
數(shù)量：: 11631
說明：: 兩極晶體管 - BJT DUAL COMP GP TRANS SOT963

一、本商品被瀏覽0次.

NST847BPDP6T5G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：8000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：420 mW
直流電流增益 hFE 最大值：200 at 2 mA at 5 V
封裝形式：SOT-963
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：200 at 2 mA at 5 V at NPN, 220 at 2 mA at 5 V at PNP
增益帶寬產(chǎn)品fT：100 MHz
最大直流電集電極電流：0.1 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：45 V
集電極—基極電壓 VCBO：50 V
晶體管極性：NPN/PNP
配置：Dual
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是NST847BPDP6T5G的詳細信息，包括NST847BPDP6T5G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：