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中文參數如下:
包裝形式:Reel
功率耗散:231 mW
集電極連續電流:100 mA
集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V
直流集電極/Base Gain hfe Min:160 mA
封裝形式:SOT-963
安裝風格:SMD/SMT
典型輸入電阻器:2.2 KOhms
配置:Dual
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor
以上是NSBC123TPDP6T5G的詳細信息,包括NSBC123TPDP6T5G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!