色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > NSBA124EDXV6T1

NSBA124EDXV6T1

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-563
數(shù)量：: 8694
說明：: 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP

一、本商品被瀏覽0次.

NSBA124EDXV6T1 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：357 mW
峰值直流集電極電流：100 mA
集電極連續(xù)電流：- 0.1 A
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V
直流集電極/Base Gain hfe Min：60
封裝形式：SOT-563-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
典型電阻器比率：1
典型輸入電阻器：22 KOhms
晶體管極性：PNP
配置：Dual
RoHS：否
產(chǎn)品種類：開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器
制造商：ON Semiconductor

以上是NSBA124EDXV6T1的詳細(xì)信息，包括NSBA124EDXV6T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：