色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > NSBA115EDXV6T1G

NSBA115EDXV6T1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-563
數量：: 8550
說明：: 開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP

一、本商品被瀏覽0次.

NSBA115EDXV6T1G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：4000
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：357 mW
峰值直流集電極電流：100 mA
集電極連續電流：- 0.1 A
集電極—發射極最大電壓 VCEO：50 V
直流集電極/Base Gain hfe Min：80
封裝形式：SOT-563-6
安裝風格：SMD/SMT
典型電阻器比率：1
典型輸入電阻器：100 KOhms
晶體管極性：PNP
配置：Dual
RoHS：是
產品種類：開關晶體管 - 偏壓電阻器
制造商：ON Semiconductor

以上是NSBA115EDXV6T1G的詳細信息，包括NSBA115EDXV6T1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：