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NSB13211DW6T1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SC-88/SC70-6/SOT-363
數量：: 6165
說明：: TRANS BRT DUAL COMPL SC-88

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NSB13211DW6T1G PDF參數資料

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中文參數如下：

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）：4.7K, 10K
電阻器 - 發射極 (R2)（歐）：4.7K, 10K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)：35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大）：500nA
頻率 - 轉換：-
功率 - 最大：230mW
安裝類型：表面貼裝

以上是NSB13211DW6T1G的詳細信息，包括NSB13211DW6T1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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