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NJX1675PDR2G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 8-SOIC
數量:
 7236  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN/PNP +/- 30V +/- 6A
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NJX1675PDR2G-8-SOIC圖片

NJX1675PDR2G PDF參數資料

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中文參數如下:
認證機構:
封裝封裝/外殼:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:100MHz,120MHz
功率 - 最大值:2W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):180 @ 1A,2V
電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):115mV @ 200mA,2A / 170mV @ 200mA,2A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):3A
晶體管類型:NPN,PNP
產品狀態:停產
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:onsemi

以上是NJX1675PDR2G的詳細信息,包括NJX1675PDR2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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