點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下: 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:32 us 工廠包裝數(shù)量:4000 上升時(shí)間:11 us 功率耗散:8.93 W 最小工作溫度:- 55 C 下降時(shí)間:27 us 包裝形式:Reel 封裝形式:SOT-223 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single Dual Drain 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.09 Ohms 漏極連續(xù)電流:6 A 閘/源擊穿電壓:+/- 16 V 汲極/源極擊穿電壓:40 V 晶體管極性:N-Channel RoHS:是 產(chǎn)品種類:MOSFET 制造商:ON Semiconductor