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NGD18N40ACLBT4G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 TO-252，（D-Pak）
數量：
 18  
說明：
 IGBT 晶體管
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NGD18N40ACLBT4G-TO-252，（D-Pak）圖片

NGD18N40ACLBT4G PDF參數資料

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中文參數如下：

安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
最大工作溫度：+ 175 C
功率耗散：115 W
在25 C的連續集電極電流：15 A
柵極/發射極最大電壓：18 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：430 V
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NGD18N40ACLBT4G的詳細信息，包括NGD18N40ACLBT4G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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