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NESG2101M05-A

廠家:
  CEL
封裝:
 M05
數量:
 7173  
說明:
 射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
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NESG2101M05-A-M05圖片

NESG2101M05-A PDF參數資料

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中文參數如下:

最大工作溫度:+ 150 C
封裝形式:SOT-343
安裝風格:SMD/SMT
功率耗散:175 mW
集電極連續電流:35 mA
發射極 - 基極電壓 VEBO:1.5 V
RoHS:是
產品種類:射頻硅鍺晶體管
制造商:CEL

以上是NESG2101M05-A的詳細信息,包括NESG2101M05-A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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