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NE8500199

廠家:
  CEL
封裝:
 CHIP
數量:
 4536  
說明:
 射頻GaAs晶體管 1W C Band MESFET
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NE8500199 PDF參數資料

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中文參數如下:

包裝形式:Bulk
P1dB:29.5 dBm
封裝形式:CHIP
安裝風格:SMD/SMT
功率耗散:6 W
最大工作溫度:+ 130 C
漏極連續電流:825 mA
閘/源擊穿電壓:- 12 V
漏源電壓 VDS:15 V
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :300 mS
增益:9 dB
頻率:7.2 GHz
技術類型:MESFET
RoHS:否
產品種類:射頻GaAs晶體管
制造商:CEL

以上是NE8500199的詳細信息,包括NE8500199廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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