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NE425S01-T1B

廠家：: NEC/CEL
封裝：: S0-1
數量：: 4554
說明：: 射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET

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NE425S01-T1B PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：4000
包裝形式：Reel
封裝形式：S0-1
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：165 mW
最大工作溫度：+ 125 C
漏極連續電流：90 mA
閘/源擊穿電壓：- 3 V
漏源電壓 VDS：4 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：60 mS
噪聲系數：0.6 dB
增益：12 dB
頻率：12 GHz
技術類型：HEMT
RoHS：是
產品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：NEC

以上是NE425S01-T1B的詳細信息，包括NE425S01-T1B廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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