色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NDS9959_Q

NDS9959_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOIC-8 Narrow
數(shù)量：: 2493
說明：: MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode

一、本商品被瀏覽0次.

NDS9959_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：9 ns
上升時間：8 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：11 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.3 Ohms
漏極連續(xù)電流：+/- 2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：50 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDS9959_Q的詳細(xì)信息，包括NDS9959_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：