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NDS8961_F011

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOIC-8 Narrow
數(shù)量：: 2295
說明：: MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode

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NDS8961_F011 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：14 ns
上升時間：15 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.1 Ohms
漏極連續(xù)電流：3.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDS8961_F011的詳細信息，包括NDS8961_F011廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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