色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NDS356AP_L99Z

NDS356AP_L99Z

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23
數(shù)量：: 2142
說(shuō)明：: MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode

一、本商品被瀏覽0次.

NDS356AP_L99Z PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：53 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：17 ns
功率耗散：0.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：17 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.3 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDS356AP_L99Z的詳細(xì)信息，包括NDS356AP_L99Z廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：