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NDF10N60ZH

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TO-220-3 整包
數量:
 387  
說明:
 MOSFET NFET 600V 10A
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NDF10N60ZH-TO-220-3 整包圖片

NDF10N60ZH PDF參數資料

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中文參數如下:

上升時間:31 ns
功率耗散:39 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:47 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :7.9 S
下降時間:23 ns
封裝形式:TO-220FP
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.65 Ohms
漏極連續電流:10 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是NDF10N60ZH的詳細信息,包括NDF10N60ZH廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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