色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

NDC651N_F095

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SuperSOT-6
數量:
 1467  
說明:
 MOSFET 30V 3.2A N-CH ENHANCEMENT MODE
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
NDC651N_F095-SuperSOT-6圖片

NDC651N_F095 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

典型關閉延遲時間:15 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:19 ns
功率耗散:1600 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:19 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SuperSOT-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Triple Drain Dual Source
漏極連續電流:3.2 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是NDC651N_F095的詳細信息,包括NDC651N_F095廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

  • NDC7001C圖片

    NDC7001C

    MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode

  • 暫無電子元件圖

    NDC7001C_Q

    MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 西乌| 麻栗坡县| 宁蒗| 溧水县| 农安县| 施秉县| 兴山县| 丁青县| 白朗县| 青冈县| 丰城市| 洪泽县| 从化市| 太仆寺旗| 武川县| 永安市| 东阳市| 普宁市| 泰州市| 门头沟区| 崇阳县| 修文县| 黔东| 松江区| 房产| 乾安县| 米易县| 武乡县| 巩义市| 绥芬河市| 巴彦县| 康平县| 武强县| 高清| 德阳市| 满洲里市| 柏乡县| 高雄市| 尼勒克县| 衡阳市| 湘乡市|