色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MUN5313DW1T1G

MUN5313DW1T1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SC-88/SC70-6/SOT-363
數量：: 21385
說明：: 開關晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR DUAL 50V

一、本商品被瀏覽0次.

MUN5313DW1T1G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：256 mW
峰值直流集電極電流：100 mA
集電極連續電流：100 mA
集電極—發射極最大電壓 VCEO：50 V
直流集電極/Base Gain hfe Min：80
封裝形式：SOT-363(PB-Free)-6
安裝風格：SMD/SMT
典型電阻器比率：1
典型輸入電阻器：47 KOhms
晶體管極性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
產品種類：開關晶體管 - 偏壓電阻器
制造商：ON Semiconductor

以上是MUN5313DW1T1G的詳細信息，包括MUN5313DW1T1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：