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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):63W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):184 pF @ 1000 V
Vgs(最大值):+23V,-10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):11 nC @ 20 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.25V @ 100μA(標準)
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):940 毫歐 @ 2.5A,20V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):6A(Tc)
漏源電壓(Vdss):1700 V
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:管件
品牌:Microchip Technology
以上是MSC750SMA170SA的詳細信息,包括MSC750SMA170SA廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!