色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<button id="eqmis"></button>

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > MRF8P20160HR5

MRF8P20160HR5

廠家：: Freescale Semiconductor
封裝：: NI-780-4
數(shù)量：: 3357
說明：: DISCRETE RF FET

一、本商品被瀏覽0次.

MRF8P20160HR5 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝：NI-780-4
封裝/外殼：NI-780-4
安裝類型：底座安裝
電壓 - 額定：65 V
功率 - 輸出：37W
電流 - 測(cè)試：550 mA
噪聲系數(shù)：-
額定電流（安培）：-
電壓 - 測(cè)試：28 V
增益：16.5dB
頻率：1.92GHz
配置：雙
技術(shù)：LDMOS
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：NXP USA Inc.

以上是MRF8P20160HR5的詳細(xì)信息，包括MRF8P20160HR5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：