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中文參數如下：
晶體管極性：NPN
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 65 C
最大工作溫度：+ 200 C
包裝形式：Tray
封裝形式：SOIC-8
功率耗散：2.2 W
集電極連續電流：200 mA
發射極 - 基極電壓 VEBO：3 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：16 V
最大工作頻率：800 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min：30
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.
以上是MRF8372LF的詳細信息，包括MRF8372LF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
