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MRF581A

廠家：: Advanced Semiconductor, Inc.
封裝：: 微型-X 陶瓷 84C
數量：: 216
說明：: 射頻雙極小信號晶體管 RF Transistor

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MRF581A PDF參數資料

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中文參數如下：

安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 65 C
包裝形式：Tray
封裝形式：Macro-X
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：90
功率耗散：1.25 W
集電極連續電流：200 mA
發射極 - 基極電壓 VEBO：2.5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：15 V
最大工作頻率：1 GHz
晶體管極性：NPN
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.

以上是MRF581A的詳細信息，包括MRF581A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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