色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MRF555

MRF555

廠家：: Advanced Semiconductor, Inc.
封裝：: 超大功率
數(shù)量：: 117
說明：: 射頻雙極小信號晶體管 RF Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

MRF555 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 65 C
包裝形式：Tray
封裝形式：Case 317D-02
最大工作溫度：+ 200 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：50
功率耗散：3 W
集電極連續(xù)電流：500 mA
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：3 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：16 V
最大工作頻率：470 MHz
晶體管極性：NPN
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.

以上是MRF555的詳細信息，包括MRF555廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：