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MPS3563G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TO-92-3 (TO-226)
數量:
 6966  
說明:
 兩極晶體管 - BJT 50mA 12V NPN
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MPS3563G-TO-92-3 (TO-226)圖片

MPS3563G PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:5000
包裝形式:Bulk
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:350 mW
集電極連續電流:0.05 A
封裝形式:TO-92-3 (TO-226)
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:20 at 8 mA at 10 V
增益帶寬產品fT:1.5 GHz
最大直流電集電極電流:0.05 A
集電極—射極飽和電壓:15 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:12 V
集電極—基極電壓 VCBO:30 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:ON Semiconductor

以上是MPS3563G的詳細信息,包括MPS3563G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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