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中文參數如下：
工廠包裝數量：25
包裝形式：Sleeve
封裝形式：TO-116
安裝風格：Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min：30
增益帶寬產品fT：200 MHz
集電極—射極飽和電壓：30 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：30 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V
晶體管極性：NPN/PNP
配置：Quad
RoHS：過渡期間
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor
以上是MPQ6002的詳細信息，包括MPQ6002廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
