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MOC212M_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數(shù)量:
 8253  
說明:
 晶體管輸出光電耦合器 SO-8 PHOTO TRANS
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MOC212M_Q-SOIC-8 Narrow圖片

MOC212M_Q PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

輸出類型:DC
輸出設(shè)備:NPN Phototransistor
每芯片的通道數(shù)量:1 Channel
最大反向二極管電壓:6 V
最大輸入二極管電流:60 mA
包裝形式:Bulk
封裝形式:SOIC-8 Narrow
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 100 C
最大功率耗散:250 mW
最大集電極電流:150 mA
最大正向二極管電壓:1.5 V
絕緣電壓:2500 Vrms
最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V
最大集電極/發(fā)射極電壓:30 V
輸入類型:DC
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是MOC212M_Q的詳細(xì)信息,包括MOC212M_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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