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中文參數(shù)如下：
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：54 ns, 110 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：135 ns, 40 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：7.2 S
下降時(shí)間：84 ns, 97 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.075 Ohms
漏極連續(xù)電流：5.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor
以上是MMSF3P02HDR2的詳細(xì)信息，包括MMSF3P02HDR2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
