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MMDF3N02HDR2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數量：: 4608
說明：: MOSFET NFET SO8D 20V 3.8A 90mOhm

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MMDF3N02HDR2G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：17 ns, 27 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：58 ns, 32 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：3.88 S
下降時間：20 ns, 21 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.09 Ohms
漏極連續電流：3.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是MMDF3N02HDR2G的詳細信息，包括MMDF3N02HDR2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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