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MMBTH81_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23-3
數量：: 3834
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP RF Transistor

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MMBTH81_Q PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：225 mW
封裝形式：SOT-23-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：60 at 5 mA at 10 V
增益帶寬產品fT：600 MHz
最大直流電集電極電流：0.05 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：3 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：20 V
集電極—基極電壓 VCBO：20 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是MMBTH81_Q的詳細信息，包括MMBTH81_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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