點擊下載PDF參數資料
中文參數如下： 工廠包裝數量：50 包裝形式：Tube 最小工作溫度：- 65 C 最大功率耗散：2 W 集電極連續電流：4 A 封裝形式：TO-220-3 安裝風格：Through Hole 最大工作溫度：+ 150 C 直流集電極/Base Gain hfe Min：10 增益帶寬產品fT：4 MHz 最大直流電集電極電流：4 A 集電極—射極飽和電壓：700 V 發射極 - 基極電壓 VEBO：9 V 集電極—發射極最大電壓 VCEO：400 V 集電極—基極電壓 VCBO：700 V 晶體管極性：NPN 配置：Single RoHS：是 產品種類：兩極晶體管 - BJT 制造商：ON Semiconductor
點擊下載PDF參數資料
