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MJD42CT4G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-252-3 (DPAK)
數(shù)量：: 7611
說明：: 兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP

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MJD42CT4G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2500
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：20 W
集電極連續(xù)電流：6 A
封裝形式：TO-252-3 (DPAK)
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：30 at 300 mA at 4 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：3 MHz
最大直流電集電極電流：6 A
集電極—射極飽和電壓：100 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：100 V
集電極—基極電壓 VCBO：100 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MJD42CT4G的詳細信息，包括MJD42CT4G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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