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MJD117ITU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: IPAK
數(shù)量：: 5805
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Darlington

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MJD117ITU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

包裝形式：Tube
最小工作溫度：- 65 C
直流電流增益 hFE 最大值：500 at 0.5 A at 3 V
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：500 at 0.5 A at 3 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：100 V
集電極—基極電壓 VCBO：100 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是MJD117ITU的詳細信息，包括MJD117ITU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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