點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C350 毫歐 @ 1.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)20V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs-
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C750mA
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 130pF @ 5V
功率 - 最大400mW
安裝類型表面貼裝

以上是MGSF1P02LT1的詳細信息，包括MGSF1P02LT1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產品：

STD45P4LLF6AG

STL90N6F7

NTMFS6H824NT1G

STD4LN80K5

SIJ494DP-T1-GE3

IPD70P04P409ATMA1

IPD70P04P409ATMA2

IPD70P04P4L08ATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

IPD70P04P4L08ATMA2