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MCT2E_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 PDIP-6
數量：
 9  
說明：
 晶體管輸出光電耦合器 DIP-6 PHOTO TRANS
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MCT2E_Q-PDIP-6圖片

MCT2E_Q PDF參數資料

中文參數如下：

輸出類型：DC
輸出設備：NPN Phototransistor
每芯片的通道數量：1 Channel
最大反向二極管電壓：3 V
最大輸入二極管電流：100 mA
包裝形式：Bulk
封裝形式：PDIP-6
最小工作溫度：- 55 C
最大工作溫度：+ 100 C
最大功率耗散：260 mW
最大集電極電流：50 mA
最大正向二極管電壓：1.5 V
絕緣電壓：5300 Vrms
最大集電極/發射極飽和電壓：0.4 V
最大集電極/發射極電壓：30 V
輸入類型：DC
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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