點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：190 nS
上升時間：42 nS
功率耗散：800 mW
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：1.57 nC
下降時間：105 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：MCPH-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：7.8 Ohms at 4 V
漏極連續(xù)電流：250 mA
閘/源擊穿電壓：+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓：50 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是MCH6604-TL-E的詳細(xì)信息，包括MCH6604-TL-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產(chǎn)品：

SIHJ690N60E-T1-GE3

STL9N60M2

STD110N8F6

STD45P4LLF6AG

STL90N6F7

NTMFS6H824NT1G

STD4LN80K5

SIJ494DP-T1-GE3

IPD70P04P409ATMA1

IPD70P04P409ATMA2