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MBT35200MT1

廠(chǎng)家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TSOP-6
數(shù)量:
 3888  
說(shuō)明:
 兩極晶體管 - BJT Low Saturation
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MBT35200MT1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠(chǎng)包裝數(shù)量:3000
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:625 mW
集電極連續(xù)電流:- 2 A
封裝形式:TSOP-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:100 at 1 A at 1.5 V
增益帶寬產(chǎn)品fT:100 MHz
最大直流電集電極電流:2 A
集電極—射極飽和電壓:- 35 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 35 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 55 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
產(chǎn)品種類(lèi):兩極晶體管 - BJT
制造商:ON Semiconductor

以上是MBT35200MT1的詳細(xì)信息,包括MBT35200MT1廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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