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MBRTA60035RL

廠家:
  GeneSiC Semiconductor
封裝:
 三塔
數量:
 6660  
說明:
 DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3TOWER
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MBRTA60035RL-三塔圖片

MBRTA60035RL PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝:三塔
封裝/外殼:三塔
安裝類型:底座安裝
工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:3 mA @ 35 V
反向恢復時間 (trr):-
速度:快速恢復 = 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):600 mV @ 300 A
電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):300A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):35 V
技術:肖特基
二極管配置:1 對共陽極
產品狀態:停產
包裝:-
系列:散裝
品牌:GeneSiC Semiconductor

以上是MBRTA60035RL的詳細信息,包括MBRTA60035RL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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