點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

安裝風格：Screw
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
包裝形式：Reel
封裝形式：EconoPACK 2
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：80 W
柵極—射極漏泄電流：120 nA
在25 C的連續集電極電流：15 A
集電極—射極飽和電壓：2.7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Hex
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：過渡期間
制造商：Infineon

以上是BSM10GD120DN2E3224的詳細信息，包括BSM10GD120DN2E3224廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關晶體管 - 偏壓電阻器  

最新產品：

BSC034N06NSATMA1

ZL30153GGG2

420TXW47MEFR12.5X35

MPFS095TS-1FCSG536I

VS-1KAB05E

501CBA-ACAF

ECOC-2522-38.400-5FC

SW4-001100AI4HM

T495B685M025ZTE1K0

AFS4-08001200-10-10P-4-V-IM