色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 集成電路 - IC > 內(nèi)存 > 閃存 > M29DW641F70ZE6E

M29DW641F70ZE6E

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TFBGA
數(shù)量：: 5760
說(shuō)明：: 閃存 STD FLASH 64 MEG

一、本商品被瀏覽0次.

M29DW641F70ZE6E PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：187
組織：8 KB x 16, 64 KB x 126
包裝形式：Tray
封裝形式：TFBGA
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
工作溫度：+ 85 C
最大工作電流：10 mA
電源電壓-最小：2.7 V
電源電壓-最大：3.6 V
接口類型：Parallel
結(jié)構(gòu)：Sectored
存儲(chǔ)容量：64 Mbit
存儲(chǔ)類型：NOR Flash
數(shù)據(jù)總線寬度：16 bit
RoHS：是
產(chǎn)品種類：閃存
制造商：STMicroelectronics

以上是M29DW641F70ZE6E的詳細(xì)信息，包括M29DW641F70ZE6E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他內(nèi)存產(chǎn)品：

NVRAM 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器可擦除可編程ROM F-RAM RAM其它

最新產(chǎn)品：

EFR32FG1V132F64GM32-B0