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LPV358DR

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 5562  
說明:
 運算放大器 - 運放 Dual Low-Voltage Low Power RRO
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LPV358DR-8-SOIC圖片

LPV358DR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

電壓增益 dB:100 dB
技術:BiCMOS
電源電流:20 mA
工廠包裝數(shù)量:2500
最小工作溫度:- 40 C
增益帶寬生成:0.237 MHz
包裝形式:Reel
最大工作溫度:+ 85 C
關閉:No
轉換速度:0.1 V/us
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
工作電源電壓:2.7 V to 5 V
輸入偏流(最大值):50 nA
輸入補償電壓:7 mV
共模抑制比(最小值):50 dB
通道數(shù)量:2
RoHS:是
產品種類:運算放大器 - 運放
制造商:Texas Instruments

以上是LPV358DR的詳細信息,包括LPV358DR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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