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KST42MTF_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOT-23
數(shù)量:
 8100  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KST42MTF_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

包裝形式:Reel
最大功率耗散:350 mW
集電極連續(xù)電流:0.5 A
封裝形式:SOT-23
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:40
增益帶寬產(chǎn)品fT:50 MHz
最大直流電集電極電流:0.5 A
集電極—射極飽和電壓:300 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:300 V
集電極—基極電壓 VCBO:300 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KST42MTF_Q的詳細信息,包括KST42MTF_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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