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KSE45H11_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220
數量：: 6714
說明：: 兩極晶體管 - BJT

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KSE45H11_Q PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Bulk
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：50 W
集電極連續電流：- 10 A
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：60
增益帶寬產品fT：40 MHz
最大直流電集電極電流：10 A
集電極—射極飽和電壓：- 80 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：- 80 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSE45H11_Q的詳細信息，包括KSE45H11_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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