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KSE13005H1ATU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220
數(shù)量:
 6498  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor
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KSE13005H1ATU-TO-220圖片

KSE13005H1ATU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

包裝形式:Tube
最大功率耗散:75000 mW
集電極連續(xù)電流:1.5 A
封裝形式:TO-220
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:10
增益帶寬產(chǎn)品fT:4 MHz
最大直流電集電極電流:4 A
集電極—射極飽和電壓:400 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:9 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:400 V
集電極—基極電壓 VCBO:700 V
晶體管極性:NPN
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KSE13005H1ATU的詳細(xì)信息,包括KSE13005H1ATU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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