色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

KSD261CGTA_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-92
數量：
 6210  
說明：
 兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
KSD261CGTA_Q-TO-92圖片

KSD261CGTA_Q PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：0.5 W
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：200 at 0.1 A at 1 V
最大直流電集電極電流：0.5 A
集電極—射極飽和電壓：20 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：20 V
集電極—基極電壓 VCBO：40 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSD261CGTA_Q的詳細信息，包括KSD261CGTA_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

  • KSD261CYTA圖片

    KSD261CYTA

    兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor

  • KSD261GTA圖片

    KSD261GTA

    兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor

  • KSD261YTA圖片

    KSD261YTA

    兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板： 桂阳县| 通山县| 大竹县| 碌曲县| 习水县| 诸城市| 鹿泉市| 津市市| 竹北市| 佛坪县| 温宿县| 梅河口市| 钟山县| 娱乐| 平南县| 阿拉善右旗| 南华县| 华容县| 乳山市| 波密县| 阿坝县| 东乌珠穆沁旗| 大连市| 新沂市| 临江市| 红河县| 绥滨县| 芦溪县| 修文县| 郁南县| 黑河市| 寻乌县| 亳州市| 炉霍县| 诸城市| 鹤庆县| 长春市| 岳池县| 石城县| 微山县| 迁西县|