點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：100000 mW
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：20
增益帶寬產品fT：5 MHz
最大直流電集電極電流：3 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：12 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：800 V
集電極—基極電壓 VCBO：1.6 kV
晶體管極性：NPN
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSC5603DWTM的詳細信息，包括KSC5603DWTM廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開關晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產品：

RN4607(TE85L,F)

RN1704JE(TE85L,F)

RN1510(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

DCX115EU-7-F

RN1606(TE85L,F)

EMD2FHAT2R

EMH3FHAT2R

PRMD10Z

PRMD13Z