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KSC3503DSTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-126-3
數量：: 13517
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

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KSC3503DSTU PDF參數資料

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中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：150MHz
功率 - 最大值：7 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 10mA，10V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：600mV @ 2mA，20mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：300 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100 mA
晶體管類型：NPN
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：onsemi

以上是KSC3503DSTU的詳細信息，包括KSC3503DSTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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