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KSC2330OSHTA

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-92L
數量:
 6376  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KSC2330OSHTA-TO-92L圖片

KSC2330OSHTA PDF參數資料

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中文參數如下:

包裝形式:Ammo
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:1 W
直流電流增益 hFE 最大值:240
封裝形式:TO-92L
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:40
增益帶寬產品fT:50 MHz
最大直流電集電極電流:0.1 A
集電極—射極飽和電壓:300 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:300 V
集電極—基極電壓 VCBO:300 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KSC2330OSHTA的詳細信息,包括KSC2330OSHTA廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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