色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > KSB1017OTU

KSB1017OTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220F
數量：: 3663
說明：: 兩極晶體管 - BJT DISC BY MFG 2/02

一、本商品被瀏覽0次.

KSB1017OTU PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

包裝形式：Rail
最大功率耗散：25000 mW
封裝形式：TO-220F
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：70
增益帶寬產品fT：9 MHz
最大直流電集電極電流：4 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：- 80 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 80 V
晶體管極性：PNP
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSB1017OTU的詳細信息，包括KSB1017OTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：